发明人:郭怀新,李忠辉,尹志军,陈堂胜
专利权人:中国电子科技集团公司第五十五研究所
公开日:2018-12-21
公开号:CN109060759A
专利类别:发明公开
下载地址:见页末
摘要:本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法,包括:待测薄膜样品的微桥结构设计及制备;薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定;薄膜微桥待测区温度分布计算;利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定厚度的半导体薄膜材料热导率精确表征问题,提升了测试精度和降低了测试成本,满足半导体器件对厚度在百纳米到十微米之间薄膜材料热性能的研究需求,对提升器件热管理的技术开发有极大的指导意义。
内容未完全展示,请下载附件查看