发明人：包绍林,包建敏
专利权人：包建敏
公开日：2012-11-07
公开号：CN202523768U
专利类别：实用新型
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摘要：本实用新型公开了一种高导热、防静电正装LED芯片,包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层,所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层,类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底,不但具有较高的导热性,而且还具有较好的防静电性能,有效提高了LED的热管理,保证了LED的光效和使用寿命。另外,也能够简化其制作工艺,取消了原有蓝宝石衬底所需的磨片、划片等工艺。
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