array(2) { [0]=> string(6) "上海" [1]=> string(16) "作者:包绍林" }
本实用新型公开了一种高导热、防静电正装LED芯片,包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层,所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金