一种基于铝基碳化硅的陶瓷封装功率元器件散热结构

作者: 纪志坡,高伟娜,郭传伟 CNPIM 2012年09月26日

发明人:纪志坡,高伟娜,郭传伟
专利权人:北京卫星制造厂
公开日:2012-09-26
公开号:CN202454549U
专利类别:实用新型
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摘要:一种基于铝基碳化硅的陶瓷封装功率元器件散热结构,包括底座、陶瓷电路板和功率器件;底座的上表面与陶瓷电路板通过真空钎焊连接,陶瓷电路板与底座接触的表面为敷铜面,陶瓷电路板的另一面为连接线路,且焊接有功率器件,底座采用铝基碳化硅材料且底座的下表面涂有导热硅脂。本实用新型在保证可靠性的前提下,解决陶瓷封装功率器件的热设计和轻量化等问题。

一种基于铝基碳化硅的陶瓷封装功率元器件散热结构,其特征在于:包括底座(1)、陶瓷电路板(2)和功率器件(3);底座(1)的上表面与陶瓷电路板(2)通过真空钎焊连接,陶瓷电路板(2)与底座(1)接触的表面为敷铜面,陶瓷电路板(2)的另一面为连接线路,且焊接有功率器件(3)。
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