具有III–V族增益材料和集成散热器的电光器件

作者: C·卡尔,H·哈恩 CNPIM 2019年12月13日

发明人:C·卡尔,H·哈恩
专利权人:国际商业机器公司
公开日:2019-12-13
公开号:CN110574176A
专利类别:发明公开
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摘要:具有两个晶片组件的电光器件及其制造方法。第一晶片组件包括硅衬底及其顶部上的覆层。覆层包括在其中形成的空腔,其中该空腔填充有电绝缘的散热片,该散热片的导热率大于覆层的导热率。第二晶片组件包括III-V族半导体增益材料的堆叠,设计用于给定辐射的光学放大。第二晶片组件被接合到第一晶片组件上,从而使III-V族半导体增益材料的叠层与散热片热连通。另外,对于所述给定辐射,散热片的折射率低于硅衬底的折射率和III-V族半导体增益材料叠层的平均折射率。

1.一种电光器件,包括:第一晶片组件,包括硅衬底和所述硅衬底顶部上的覆层,所述覆层包括在其中形成的空腔,所述空腔填充有电绝缘的散热片,所述散热片具有比该覆层的导热率更大的导热率;和第二晶片组件,包括III-V族半导体增益材料的堆叠,设计用于给定辐射的光放大,其中第二晶片组件与第一晶片组件接合,使得所述III-V族半导体增益材料的堆叠与所述散热片热连通;并且所述散热片的折射率低于以下每一个:所述硅衬底的折射率;和对于所述给定辐射来说所述III-V族半导体增益材料堆叠的平均折射率。
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