1.一种等离子体蚀刻腔室,包括：等离子体源,所述等离子体源设置在所述等离子体蚀刻腔室的上部区域中；以及阴极组件,所述阴极组件设置在所述等离子体源下方,所述阴极组件包括：冷却RF供电的卡盘,所述冷却RF供电的卡盘用于将基板载体的背侧的内侧部分直接支撑在所述冷却RF供电的卡盘上；以及冷却RF隔离的支撑件,所述冷却RF隔离的支撑件围绕所述冷却RF供电的卡盘但与所述冷却RF供电的卡盘隔离,所述冷却RF隔离的支撑件用于将所述基板载体的所述背侧的外侧部分直接支撑在所述冷却RF隔离的支撑件上；以及RF杆,所述RF杆穿过所述冷却RF隔离的支撑件中的开口,其中所述RF杆接触所述冷却RF供电的卡盘但不接触所述冷却RF隔离的支撑件。