发明人:W-Q·许,C·刘,埃尔金·E·伊斯勒,
专利权人:II-VI有限公司
公开日:2018-04-03
公开号:CN107873063A
专利类别:发明公开
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摘要:在金刚石膜、基材或窗的形成方法中,提供一种硅基材,并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比,其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。
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