发明人：R·R·诺顿
专利权人：美国亚德诺半导体公司
公开日：2018-03-23
公开号：CN107833887A
专利类别：发明公开
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摘要：本公开涉及多指FET中的热管理。本公开通过提供多栅指FET布置而在多栅指场效应晶体管(FET)中解决热问题,其中多个栅指之间的相应距离沿着器件被调制,使得在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间的距离大于在器件的边缘或朝向器件的边缘的栅指之间的距离。通过在位于在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间设置更大的距离,然后获得改进的热管理性能,并且器件作为整体保持比其他情况更冷,这是与器件寿命相关的改进。
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