可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件及制备方法

作者: 周涵,钱珍莉,唐道远,徐建明,刘向辉,范 CNPIM 2020年11月10日

发明人:周涵,钱珍莉,唐道远,徐建明,刘向辉,范
专利权人:上海交通大学;上海空间电源研究所
公开日:2020-11-10
公开号:CN111913329A
专利类别:发明公开
下载地址:见页末

摘要:本发明公开了一种可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:S1:选取基底,并对基底进行前处理;S2:在处理后的基底上制备高透过率导电层;S3:在所述高透过率导电层上沉积WO_3层作为变色层,然后在WO_3层上继续沉积Ta_2O_5作为电解质层,然后进行退火处理,得到晶态WO_3;S4:继续沉积金属氧化物作为离子存储层,然后在金属氧化物的基础上重复步骤S2,得到电致变色薄膜器件;其中,若基底为透明导电材料,直接在处理后的基底上进行步骤S3。通过该方法得到的电致变色薄膜器件可以从可见至红外光调控光性能,而且可以针对不同的波段而设计组分得到各种各样不同的变色和热管理性能。

1.一种可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:选取基底,并对基底进行前处理;S2:在处理后的基底上制备高透过率导电层;S3:在所述高透过率导电层上沉积WO_3层作为变色层,然后在WO_3层上继续沉积Ta_2O_5作为电解质层,然后进行退火处理,得到晶态WO_3;S4:继续沉积金属氧化物作为离子存储层,然后在金属氧化物的基础上重复步骤S2,得到电致变色薄膜器件;其中,若基底为导电材料,直接在处理后的基底上进行步骤S3。
内容未完全展示,请下载附件查看


下载地址:限时免费下载(右键另存为)
如下载链接失效,请联系管理员。




点击加载全文

本文阅读量:

声明:本文由用户投稿,信息来源于上海交通大学;上海空间电源研究所,仅用于学习和技术交流,观点仅代表作者本人,不代表CNPIM立场。如有侵权或其他问题,请联系本站处理。

技术支持:CNPIM.COM