在去年石墨烯创新成果大会上，中科院公开展示了自研的8英寸石墨烯晶圆，引发了海外媒体、科学家们的围观和感叹，据知情人透露，这项8英寸晶圆通过了权威机构的检测认证，不管是尺寸或者是性能，都处全球顶尖水平。援引外媒的报道：中国在碳基领域至少已领先世界五年。
作为碳基芯片的基础原材料，石墨烯的作用不言而喻，全球各地对该领域的投入都非常大，因为在传统硅基芯片来到3nm工艺之时，已逼近物理极限，而碳基芯片此时则被寄予厚望，是或将成为引领下一个芯片时代的主流产品。
更重要的是，碳基芯片从材料到制造都不同于硅基芯片，未来产线上所用到的半导体设备也不尽相同，由于石墨烯材料拥有优良的电学、热学和光学特性，因此，具体的生产或将能绕开高端EUV光刻设备。
在老美以半导体芯片技术打压国产高科技企业的关键时刻，石墨烯、碳基芯片的出现，无疑让“中国芯”多了一个破冰的方向。
而近日，中科院再次传来好消息，郭光灿院士带领的中国科技大学科研团队，成功了完成了量子干涉实验，极大地推动了国产光量子芯片的研究和发展。
量子干涉是全球量子领域的技术壁垒，是光量子芯片由实验室走向商用应用的转折点，就像此前中科院的8英寸石墨烯晶圆一样，连美国也未曾突破，但是中国科学家却再一次做到了！
光量子芯片被称为半导体材料的终极形态，相比碳基芯片，是属于更高维度的产品，在传输效率、功耗和安全性各方面，都是顶级的存在，十三五规划之中，量子技术是未来科技发展的重点方向。
此次量子干涉实验成果，或将成为高端光量子芯片由理论走向实际应用的转折点，而且光量子芯片的制造也无需传统硅基芯片的那套设备，如碳基芯片一样，是“中国芯”的另一个重要方向。
随着碳基芯片和光量子芯片的提出与不断的研发，那么“中国芯”能不能绕开被称为国产化路上最大“拦路虎”的EUV光刻机呢？
答案或许是不能。尽管客观来看，新型芯片大可以摆脱老一套制造设备，然而，技术的迭代都是相互关联的，不存在所谓的维度跳级，就像6G要以5G为基础、5G要以4G为基础是一样的。
更何况，目前的芯片困境亟需解决，如果舍本逐末只顾新型芯片的研发，那么当下的发展该怎么办？
尽管EUV的研发很难，ASML也曾泼来冷水，表示即便给我们图纸我们也造不出来，就连吴汉明院士也表态称：EUV光刻机的精密零件高达十万个，产业链上的全球供应商超过5千家，我们凭一己之力来完成是不现实的。
但是，我们依然要持乐观态度，毕竟再尖端的设备也是人造的，而非神造的。既然海外能做到，那么我们就一定可以，而且要做得更好，毕竟我们拥有全球最大的半导体消费市场，这是我们实现突破的关键因素。
清华大学的EUV光源，上海微电子的国产28nm光刻机，都是国内在光刻领域努力的成果，这足以证明我们完全有能力突破这项核心制造技术设备的垄断。正如林毅夫教授所说：突破EUV垄断，我们只需三五年的时间就够了。