中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员在《自然-通讯》上在线发表了题为《垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管》的研究论文。科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，可将其截止频率由兆赫兹（MHz）提升至吉赫兹（GHz）领域，并在未来有望实现工作于太赫兹（THz）领域的高速器件。
据报道，目前，金属所科研人员提出半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管（图1）。与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，使器件总延迟时间缩短了1000倍以上，可将器件的截止频率由约1.0MHz提升至1.2GHz。通过使用掺杂较重的锗衬底，可实现共基极增益接近于1且功率增益大于1的晶体管。科研人员同时对器件的各种物理现象进行了分析。通过基于实验数据的建模，科研人员发现该器件具备了工作于太赫兹领域的潜力。
简单地说，这种复合材料已经研制成功。
据报道，这种材料的晶体结构非常稳定，由于有石墨烯和锗的参与，目前保守估计，在1纳米级乃至皮米级斗殴没有问题。并且，这种材料的导电性远远超过单晶硅，是它的1000倍。
目前，我国的芯片制造业正在以前所未有的速度赶超国际最先进的技术。硅-石墨烯-锗的研制成功将打破芯片制造的垄断局面。
这回美国自以为豪的芯片产业开始松动，英特尔也不像以前那样耀武扬威了。因为他们知道，一旦谁先掌握了芯片高端制造材料，谁就有话语权。