芯片领域我们太期待有弯道超车的事情发生！
对于国人来说，半导体可能是目前最为关心的话题，除了每年要花费数十亿美金进口芯片，还要担心相关制裁会影响到正常的企业运转。"芯脏病"，目前已经成为了亟待解决的重要问题。
不过现在看来，这个问题，可能会迎来巨大转机。
近日，中科院上海微系统所科研团队爆出信息，国产8英寸石墨烯晶圆取得不小的成绩，甚至表示"不管在产品尺寸、产品质量方面均处于国际领先地位！"。
这是由我国自主研发，自主知识产权的全新形态晶圆。它不同于目前的硅基晶圆，是由碳元素为基底构成的晶圆，一旦投入量产，这种晶圆就可以用于生产全新材质的芯片，并且，很有可能会改写全球芯片发展的轨迹。
为什么说它能够改变芯片行业的发展轨迹？这还要从摩尔定律说起。
1965年，美国人戈登 · 摩尔在整理材料时发现，每代芯片的容量相比于上一代都会提升一倍，并且，两代芯片之间的间隔通常会在18~24个月之间。这也就意味着根据这个规律，芯片的算力上升速度与时间的比值将会是指数级的。这一成果迅速得到了业内的认同，于是，这一规律也被称之为摩尔定律。而戈登 · 摩尔本人后来也成为了知名芯片制造商英特尔（Intel）的创始人。
后来芯片的发展果然沿着戈登摩尔的预想不断向前发展。不过这条路也并非一帆风顺，至少近五年来，就出现了两次危机。
由于芯片多用于小型设备，其体积的大小自然就受到了限制。为了能在有限的体积内做到更多的晶体管，于是晶体管之间的距离就需要不断被缩小。刚开始这一工作进展的还算顺利，但是工艺发展到了20nm时，问题出现了。
由于晶体管之间的距离过小，导致电路控制出现了问题，随之而来的就是芯片漏电，发热剧增，这种工艺做出的芯片也属于几乎不可用的状态，像手机芯片的骁龙810、apple A8、联发科X20都在这一工艺上栽了跟头。如果这一问题得不到解决，那么摩尔定律，就将宣告失效。
好在技术的发展速度没有止步，全新的finfet工艺出现了，它通过将电流闸门设计成鳍形3D架构，使得电流闸门从单向变为了双向，从而大幅缩短了晶体管的大小，这样也就能够顺利的在同一体积内容纳下更多的晶体管，于是，芯片的工艺也就得以顺利发展下去。
事情好像是解决了，但是另一次危机，正在悄然而至。
经过finfet技术的改造，晶体管数量也就得以继续增加，直到7nm技术时，新的问题诞生了。由于晶体管之间的距离太小，传统的光刻机已经很难再满足芯片的需求了。
同时，5nm之后的工艺由于晶体管距离过密，加之生产芯片所用的硅材料本身的物理性质，导致隧穿效应的出现（隧穿效应会导致漏电情况加剧，严重的话会使得芯片在通电时直接被电流击穿）。这也就导致了目前的芯片技术遇到了瓶颈，虽然EUV光刻机的投产解决了生产的问题，但是材料本身的极限问题仍未解决。
如果想继续在同体积下塞进更多晶体管，那么就只能再去寻找新的材料来生产芯片。可惜的是，受制于材料技术发展的天花板（材料技术从上世纪60年代以来几乎处于停滞状态，革命性的突破几乎没有），用于生产芯片（可大规模量产）的新材料仍然没有找到。
现在，国产8英寸石墨烯晶圆的出现，可以说是给被迷雾笼罩的芯片行业点燃了一束闪耀的光芒。
如果这一技术正式大规模投产，同时成本可控的话，那么芯片技术，将进入到一个全新的阶段，这对于材料领域来说，也将是一次不小的变革。
同时，我国在芯片领域也将获得首发优势，或许就能摆脱目前国内企业被制裁的困局。未来，也将会一片光明。