最近，研究人员创造了一种新的CVD方法，其使用石墨烯蒸气源和熔融镓催化剂在低至50℃的温度下生长石墨烯。该研究是低温石墨烯合成方面的重大进展，研究人员首先针对直接生长石墨烯在塑料基板上，未来可以集成到各种电子设备石墨烯中。

众所周知，CVD是制备高质量单层大面积石墨烯薄膜的最有效方法。但目前的工艺要求1000℃以上的高温，成本高，工艺复杂。最近，来自亚洲的研究人员创建了一种新的CVD方法，该方法使用石墨烯蒸气源和熔融镓催化剂在低至50℃的温度下生长石墨烯。结果发表在最新一期“自然”杂志的“科学报道”杂志。

降低石墨烯的CVD合成温度石墨烯可以最佳地集成到各种应用中，例如直接集成到电子器件中的CVD生长石墨烯。

在该研究的情况下，低温石墨烯的合成具有重大进展，并且研究人员首先将石墨烯直接在塑料基材上生长。石墨烯领域的任何人都将理解低温合成过程的潜在影响，并且可以用于未来将石墨烯集成到各种电子器件中。

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