近日，中科院长春光机所应用光学国家重点实验室李绍娟研究员团队提出了一种构建面内p-n-p同质结降低石墨烯光电探测器暗电流的有效途径。该器件在中红外波段表现出出色的光响应和极低的暗电流。基于石墨烯面内同质p-n-p结的红外光电探测器的实现为石墨烯-硅集成宽带光学器件的发展提供了思路。以上研究工作以《Efficient graphene in-plane homogeneous p-n-p junction based infrared photodetectors with low dark current》为题发表在SCIENCE CHINA上，DOI：10.1007/s11432-020-3179-9。安君儒博士为文章的第一作者。
石墨烯具有很多优异的特性，石墨烯在紫外到太赫兹波段均显示出光吸收，并表现出快速的光响应，并且石墨烯还具有高的载流子迁移率、良好的机械柔韧性及出色的导热性。因为这些优异的性质，基于石墨烯的光电探测器引起了人们的广泛关注。然而由于石墨烯无带隙的性质，石墨烯光电探测器的暗电流通常非常高，造成器件具有低的开关比和高的背景噪声。因此，如何将暗电流降低到较低水平并保持优异的光电检测能力是石墨烯光电检测器实际应用中需要解决的主要障碍。
在这项研究中，石墨烯被转移到具有多个图案化的硅沟槽的SiO2/Si衬底上，并且转移后石墨烯与硅沟槽中的硅衬底直接接触。与硅沟槽直接接触的石墨烯被电子掺杂形成n型石墨烯，而与SiO2直接接触的石墨烯保持p型掺杂。借助这种结构，实现了一种有效的基于石墨烯面内同质p-n-p结的红外光探测器。在这一器件中，光伏效应与光闸效应协同作用。在面内p-n-p结中，光生空穴被接触电极转移并提取，而电子被俘获在n型掺杂石墨烯中，这种光栅压效应进一步引起载流子从硅衬底注入，从而增强器件光响应性。