华为不仅在国内，甚至在国际舞台上都有着较高的声誉，在世界市场中的占比可以说是越来越大，而正是因为华为的快速发展，引来了美国方面的不满。
传统芯片即将顶到天花板
为了能遏制华为的发展，美国明确表示含有本国技术的芯片出口，需要取得它的同意，没有了持续的供给，华为一时间陷入到两难的境地。
有了华为事件，更让我们清楚地认识到打破国外的垄断，自己掌握核心技术的重要性，为此国家一时间掀起了造芯热。
大家都知道，在芯片界有着极高地位的台积电、三星已经实现了5nm芯片的制作，如今他们已经都将目标聚集到了3nm和1nm的研发制造上。
而随着工艺等级的上升，其难度系数也是逐渐增大的，当进入1nm芯片的生产时，传统芯片也将进入一个天花板境地。
碳基芯片的出现成为行业内一大突破
正是因为这种原因，寻找其他材料来代替传统的硅基芯片，对于该领域的可持续性发展起到关键性的作用。
我国在2020年10月的时候，中科院就对外展示出了8英寸的石墨烯晶圆，据悉这批碳基晶圆在性能上远远超过硅基晶圆，此项发明更是预示着我国甚至全世界在半导体行业的一大进步。
而不只是碳基芯片，国内又有一个新材料出现引起了不小的轰动，这个“新材料”就是硅基氮化镓芯片。
新材料的出现成功打败传统硅基芯片
据悉英诺赛科公司在江苏汾湖高新区举行了8英寸硅基氮化镓芯片的量产仪式，成了世界第一家突破8英寸硅基氮化镓量产的公司。
英诺赛科公司是由骆薇薇带领团队进行创建的，骆薇薇也是一个数学天才，曾在美国宇航局(NASA)工作了15年，在此期间积攒了丰富的工作经验，在她的带领下公司在半导体领域也有着卓越的表现。
英诺赛科研发制作的硅基氮化镓晶圆，在性能与使用上都是超越硅基材料的，它将硅与氮化镓完美融合在一起的材料。
由于氮化镓具有很强的化学键，所以在承载电场方面，其实力远远超越硅基材料，这样的优势代表着5纳米晶体管之间的距离可以缩小十多倍，晶体管的密度也会大大增加。
硅基氮化镓晶圆以高性能、低成本、低功耗完胜传统硅基芯片，而生产研发出硅基氮化镓晶圆并实现量产，并不是一件容易的事情。
英诺赛科公司凭借其自身实力以及国家人民的支持，最终还是制作成功，取得这样的成就不仅在国内，在国际市场中都值得让人惊叹，而此项发明更是打破了海外对我国在该领域的垄断。
结语
我国成功制作硅基氮化镓晶圆并实现量产，这已经预示着我国在芯片领域有了新的转机，相信在不久的将来，我国会有更多的公司在该领域将作出突出贡献。