一种切割包含多个集成电路的半导体晶片的方法,所述方法包含以下步骤：将由基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中,所述基板在其上具有经图案化的掩模,所述经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露所述基板的划道,且所述基板载体具有背侧；在所述等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑所述基板载体的所述背侧的至少一部分；冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧,所述冷却的步骤包含以下步骤：由所述夹盘冷却所述基板载体的所述背侧的至少第一部分；以及在执行冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧的同时经由所述划道等离子体蚀刻所述基板以切单所述集成电路。