发明人：丹尼·阿尔巴赫,简-克利斯朵夫·尚特卢,
专利权人：巴黎综合理工学院
公开日：2014-03-12
公开号：CN103636082A
专利类别：发明公开
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摘要：本发明涉及一种用于管理光学元件(2)中的热的设备(1),包括：光学元件(2)；参考温度下的材料(5)；和直接位于参考温度下的材料(5)和光学元件(2)之间的中间气体层(4),所述中间气体层(4)在其至少一部分厚度上处于由中间气体层(4)的厚度限定的所谓的瞬时扩散状态,使得中间气体层(4)中的气体分子的平均自由程与所述厚度的比值在0 1和10之间。本发明的特征在于中间气体层的厚度在10μm和5mm之间。本发明还涉及一种在所述设备(1)中实施用于管理光学元件(2)的温度的热管理方法。
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