发明人:罗伯特D·维廷
专利权人:思阳公司
公开日:2011-04-27
公开号:CN102034895A
专利类别:发明公开
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摘要:本发明提供了一种用于大规模处理覆盖玻璃基板的基于CIS和 或CIGS的薄膜的热管理和方法。根据一个实施方式,本发明提供了一种用于制造铜铟二硒化物半导体薄膜的方法。该方法包括提供多个基板,每个基板具有铜和铟复合结构。该方法还包括将多个基板转移到熔炉中,将多个基板中的每一个相对于重力的方向以垂直定向而设置,用数字N来限定多个基板,其中N大于5。该方法进一步包括:将包括硒化物物质和载气的气态物质引入到熔炉中,并将热能转移到熔炉中,以将温度从第一温度提高至第二温度,第二温度在约350℃至约450℃的范围内,以至少在每个基板上开始用铜和铟复合结构形成铜铟二硒化物薄膜。
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