在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理

作者: 类维生,P·库玛,B·伊顿,A·库玛 CNPIM 2020年06月16日

发明人:类维生,P·库玛,B·伊顿,A·库玛
专利权人:应用材料公司
公开日:2020-06-16
公开号:CN106716602B
专利类别:发明授权
下载地址:见页末

摘要:描述了切割半导体晶片的方法及设备,每一晶片具有多个集成电路。在示例中,切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模,该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基板载体具有背侧。该方法也涉及在等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑基板载体的背侧的至少一部分。该方法也涉及冷却基板载体的基本上全部的背侧,该冷却涉及由夹盘冷却基板载体的背侧的至少第一部分。该方法也涉及在执行冷却基板载体的基本上全部的背侧的同时经由划道等离子体蚀刻基板以切单集成电路。

1.一种切割包含多个集成电路的半导体晶片的方法,所述方法包含以下步骤:将由基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中,所述基板在其上具有经图案化的掩模,所述经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露所述基板的划道,且所述基板载体具有背侧,其中所述基板载体包括外部带框和支撑切割胶带;在所述等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑所述基板载体的所述背侧的至少一部分;冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧,所述冷却的步骤包含以下步骤:由所述夹盘冷却所述基板载体的所述背侧的至少第一部分,其中冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧的步骤包括:冷却所述带框和所述基板;以及在执行冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧的同时经由所述划道等离子体蚀刻所述基板以切单所述集成电路,其中冷却所述基板载体的基本上全部的所述背侧的步骤进一步包含以下步骤:利用围绕所述夹盘的冷却同心夹盘环来冷却所述带框。
内容未完全展示,请下载附件查看


下载地址:限时免费下载(右键另存为)
如下载链接失效,请联系管理员。




点击加载全文

本文阅读量:

声明:本文由用户投稿,信息来源于应用材料公司,仅用于学习和技术交流,观点仅代表作者本人,不代表CNPIM立场。如有侵权或其他问题,请联系本站处理。

技术支持:CNPIM.COM