发明人：王阿署,曾令艳
专利权人：成都大学
公开日：2020-03-31
公开号：CN110942990A
专利类别：发明公开
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摘要：本发明公开了一种AlGaN GaN HEMT的热管理方法,在AlGaN GaN Si衬底上,使用ICP方法在AlGaN和GaN层上刻蚀深槽用于器件之间的绝缘；使用电子束蒸发方法淀积欧姆接触电极；采用PECVD的方法生长钝化层；刻蚀源极和漏极处的钝化层；采用PECVD的方法生长金刚石热分散层；使用SiN作为保护层,采用ICP方法刻蚀金刚石层以形成源极、漏极及栅极窗口；刻蚀栅极处的钝化层；电子束蒸发淀积柵极电极。本发明能有效的降低器件的沟道温度,增加器件的漏电流输出,使其得到更好的散热效果。
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