array(2) { [0]=> string(21) "四川省成都大学" [1]=> string(16) "作者:王阿署" }
本发明公开了一种AlGaN GaN HEMT的热管理方法,在AlGaN GaN Si衬底上,使用ICP方法在AlGaN和GaN层上刻蚀深槽用于器件之间的绝缘;使用电子束