array(3) { [0]=> string(11) "一种AlGaN" [1]=> string(3) "GaN" [2]=> string(22) "HEMT的热管理方法" }
本发明公开了一种AlGaN GaN HEMT的热管理方法,在AlGaN GaN Si衬底上,使用ICP方法在AlGaN和GaN层上刻蚀深槽用于器件之间的绝缘;使用电子束